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[Eva021]

1. 对FDE仿真的弯曲波导进行收敛性测试。扫描x max，从5um到10um，得到基模的有效折射率的结果，为什么在~7.77um时有一个明显的掉落？

 

单独仿真了x max = 7.77um时的情况得到的结果如下图所示，模场分布可以看到在core中没有模场约束，但是右上角有些许异常，不知道这是什么情况？

 

2. 同时了解到FDE很适合仿真弯曲波导的损耗，因此我还设置了loss的扫描，扫描范围同neff，扫描得到的结果来看损耗为负值且变化没有什么规律，然而我看案例中得到的loss的值为“278db/cm”或许有不同的波导材料结构等的问题，但是否扫描得到的这个损耗本身也不太准确呢？

[Eva021]

同时我也仿真了dz间隔变化的收敛情况，有两个数据异常点，其中一个为dz~=0.023um的情况

单独仿真dz=0.023um的情况，得到的又是未出现异常值的结果。

 

另一个为dz~=0.11um的情况

我重新在FDE中单独改变电dz,使其等于0.116um，仿真得到的折射率结果似乎与sweep得到的结果大不相同，得到的也是未出现异常的结果。

sweep的设置是哪里出现问题了吗？

我重新运行了sweep，得到的结果又不相同。

是否意味着每一次仿真得到的值都是变化的呢？具体的网格设置也都固定了，不太清楚为什么得到的结果总是变动。

还有波导的损耗，正如上面单独仿真可以看到，损耗也与sweep结果相差了几个数量级。

请指点！！！

[GuanYo Dong]

你好,

 

有些圖片很糊,我看不太到設定

第一題
仿真範圍改變要確認網格的情況是否有跟著變粗?變粗的話仿真結果可能是沒有參考性的
也因為仿真範圍變大,模式在更多的情況下可以找到相同neff,以第二圖的情況,代表他找到PML中的了,模式錯了當然等校折射率不對

 第二題我沒看掃描loss的意思,我們應該掃描一個設定或是結構當變量看loss的變化,我看不出你改變了甚麼,
但是如果材料沒有負的k,-的loss應該是增益估計不正確

 第三個問題
現在都用max mesh step的方式設定嗎?
這個方式我剛剛測試最新版本,改了之後需要apply 關掉,再開FDE,才能看到actual munber這裡的變化,
可以測試一下應該是dz越小,number越多代表網格越精細,
以你的掃描結果,明顯dz還不夠小結果還在變化,
dx估計也不夠,所以軟件看到的結構應該是不太正確的,導致你的結果比較奇怪
建議先測試網格收斂, 

以及測試仿真區域跟模式的關係,確認模式完整性(電場絕對值數據邊緣應該要到1e-5的等級)

 

 對於sweep每次不一樣,這太奇怪了,建議先用最新版本測試,並確定舊版本沒有的功能部分,新版本有沒有正確設定。

 莎益博 董冠佑

[Eva021]

您好：

对于您的回复我还存在相关问题：

1.当进行弯曲半径的扫描的时候，设置网格大小为固定的，网格并未随着仿真范围的变大而改变。为什么会突然出现模式到PML层中的这种情况呢？还有的时候，在对同一波导在同一弯曲半径的情况下进行仿真的情况下，也会出现模式到PML层中，但是逐渐调试网格大小dz,dx后，就能使模式正常出现在波导中，请问这是怎样的一种情况呢？

2.第二个是扫描不同弯曲半径下的损耗loss，但是得到的结果总是过于小，您提到材料的k值，我仿真的波导结构的材料为Si，就是材料库中的Si。

3. 关于这个“現在都用max mesh step的方式設定嗎?”，那么以前是怎么设定的呢？

对于“建議先測試網格收斂 ”，我设置的扫描就是dz和dx的大小的改变进行收敛测试，网格的收敛测试不是这样吗？

4.FEEM进行弯曲损耗仿真的时候，是否需要画出clad&box这些结构呢？我看官网上的案例只画出了一个core直接放置在基底上。

[GuanYo Dong]

你好

1.我們改變網格或是結構,仿真看到的結構就不同了,那可以解出來的等校折射率就隨著結構改變,可能發生用戶設定的"接近哪個等校折射率"在仿真空間找不到
那因為PML中有很多的漸變折射率,所以就容易從PML中找到最接近目標的等校折射率了

2.用材料庫的材料還是需要fitting,是有可能在K接近0的情況下,預設情況有負的K

3.“現在都用max mesh step的方式設定嗎?”這句是想確認,你目前是不是都這樣設定?每個人習慣不同,並沒有一定要怎麼設定才正確,
用這個方式設定,跟你上面提供的結果來看網格測試沒有做完,我沒看有出來用多小的dz之後結果趨近於穩定
目前看起來,我們應該是dz跟dx越小,網格越細緻,但明顯現在看沒有看到你的結果隨著dz縮小有趨向穩定的計算結果,可能是dx dz要同步改變的,不是個別掃描
我們應該是在固定的網格設置下來看結果,但是隨結(半徑)構改變,可能需要不同的網格設置,所以我應該會針對比較怪的點進行網格掃描測試,確認找到的膜斑形狀正確

4.大部分情況是不需要的,但也看我們的模式預期離這些結構多遠,
如果很近會影響膜斑的形狀或是分布就還是需要畫出來

莎益博 董冠佑

[Eva021]

您好：

关于您的回复，我还有一些疑问：

1.关于第2点“用材料庫的材料還是需要fitting,是有可能在K接近0的情況下,預設情況有負的K”，关于材料库中的材料也需要拟合，请问如何进行呢？我拟合的结果来看虚部材料数据非常接近于0，与FDE model(sim)还是有一定差别的。请问这种情况该如何处理呢？怎样的拟合才是合适的呢？

波长范围为1.5~1.6um时如下图所示，是否是数据的采样点数太少引起的拟合效果不好？

同时关于材料库中自带的材料，是否是已经调试好的？为什么还需要再次拟合呢？关于这一点我不太理解。

2. 关于第4点，“大部分情況是不需要的,但也看我們的模式預期離這些結構多遠”，您的意思是如果我的波导真实结构就是有clad&box这些结构，但是不画这些结构的时候，只要不影响模斑的分布就可以不用画这些结构了是吗？那么此时画的core是悬空还是直接画在基底上呢？同时当我的基底使用的是和core一样的材料不就变成脊波导了吗？这种情况就必须画了吧！

期待您的回复！

[GuanYo Dong]

你好,

1.材料庫並沒有預先調適好,畢竟針對不同的波段,很難同時調適準確
這個材料庫的情況,明顯可能不是給這波段用的,點數比較少..

校正請先轉換到index,把tolorance改成0,fit and plot看一下左下的RMS
RMS盡量小一些好,
你也可以測試看看最大係數,看哪個情況RMS小些,然後save fit parameters.

2.通常至少clad 會建立,沒有的時候會把FDE的背景材料改成clad的材料來仿真,不存在懸空

另外從問答,發現您沒有經過正式的使用培訓,建議找您的技術支持培訓下
使用起來會更順手,這串已經偏離原本的題目,將不在回覆喔

莎益博 董冠佑