MEMSキャパシタのフルCVカーブはどのようにシミュレーションすればいいでしょうか。変形可能な1つの電極（ダイヤフラム）を備えた平行板キャパシタがあります。プルイン前のCVカーブをシミュレーションできますが、フルCVカーブを得るために、プルイン状態後もシミュレーションできるのでしょうか。電極の直接接触を防止するために設計されたポストにより、短絡は不可能です。

- January 31, 2023 at 9:59 am
  
  FAQ
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  実際の静電場 – 構造MEMSデバイスには、完全なプルダウン（電極間接触）を防止する何らかの構造があります。質問にある「ポスト」とは、このような構造を指していると思われます。モデルには、そうした構造による効果を含める必要があります。フルCVカーブを得るためには、プルイン後の安定した収束解を得ることが必要です。プルダウン後の収束解を得るのは困難なことがありますが、いずれかのアプローチで実行可能です。アプローチの1つは、この構造を明確にモデル化し、構造（ターゲット面）と変形電極（接触面）の間に接触ペアを作成することです。もう1つのアプローチは、ポストが配置される空間内に接触ペアを作成して、ターゲット面とともに物理的に配置します。ターゲット面の作成には、基盤となる物理的なパーツを含める必要はありません。注：ラインエレクトロメカニカルトランスデューサ要素TRANS126には、プルイン距離を本質的にモデル化できる接触が提供されています（GAPMIN）。スナップダウンは小さな電圧変化にわたり瞬時に起こるため、プルイン時の接触をソルバーに認識させるのがコツです。多くのケースで、接触面がターゲット面を認識できずにスナップスルーします（オーバーシュート）。そのため、基本的にはプルイン近くでは非常にゆっくりと電圧を上昇させるとともに、デフォルトの接触剛性を下げる必要があります（接触剛性係数を0.1～0.01に設定）。