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[FAQ]

半導体の物理特性を完全に模すことは出来ません。 MOSFETの解析において多くのお客様が望むのは、空乏領域の広がりと反転領域の形成の解析ですが、これらのシミュレーションはHFSSでは行えません。しかし、空乏領域と反転領域の広がりが別手法で既知であると仮定するなら、空乏領域を絶縁体、反転領域を導体、と扱うことでマイクロ波に対する応答の解析は可能になります。