TAGGED: ring-resonators
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September 2, 2024 at 9:30 pmge86gatSubscriber
老师您好,在官网的例子中(https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042800293-Ring-resonator-getting-started-Design-and-initial-simulation)展示了如何创建一个微环谐振器以及读取它的参数。我想进一步了解在使用FDE模拟时:
1. 下图中effective index对应的谐振波长是多少?2. 通过frequency sweep模拟后,得到effective index和wavelength的曲线图有什么含义?
3. 在改变FDE设定中的温度后,再次模拟,得到的数据并不会发生改变。您能跟我说明一下原因吗?
谢谢老师!
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September 9, 2024 at 5:20 pmGuilin SunAnsys Employee
1: FDE需要先知道波长才能计算;
2:你需要了解一下这些意义啊,折射率对波长这就是模式色散,不过可能不同教科书定义稍有不同,你需要自己确认。
3:你需要先有材料随温度变化的折射率才可以计算不同温度下的结果,参见 Thermally tuned waveguide (FDE)
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September 11, 2024 at 7:33 pmge86gatSubscriber
谢谢老师!我刚刚接触光芯片的内容,对基础知识并不了解。
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September 18, 2024 at 5:11 pmge86gatSubscriber
老师您好,
我正在做一个关于MRR谐振波长随温度变化的实验,目前遇到了一些问题,想请教一下:
- 将材料改为Thermally tuned waveguide (FDE) 中的silicon_thermal后,在298.1K时,使用FDE测得的有效折射率和群折射率,是否可以作为参数输入到INTERCONNECT的double bus ring resonator模型中? 下面是使用FDE时的XY和YZ平面截图。
2. 在INTERCONNECT中,我设置了double bus ring resonator的温度参数,并将其与ONA连接。在改变模拟温度后,增益曲线的峰值(gain peak)确实发生了偏移。请问这种方法是否可以用来分析温度对MRR谐振波长的影响?
期待您的解答!
谢谢!
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