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[ge86gat]

老师您好，在官网的例子中（https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042800293-Ring-resonator-getting-started-Design-and-initial-simulation）展示了如何创建一个微环谐振器以及读取它的参数。我想进一步了解在使用FDE模拟时：
1. 下图中effective index对应的谐振波长是多少？

2. 通过frequency sweep模拟后，得到effective index和wavelength的曲线图有什么含义？

3. 在改变FDE设定中的温度后，再次模拟，得到的数据并不会发生改变。您能跟我说明一下原因吗？

谢谢老师！

[Guilin Sun]

1： FDE需要先知道波长才能计算；

2：你需要了解一下这些意义啊，折射率对波长这就是模式色散，不过可能不同教科书定义稍有不同，你需要自己确认。

3：你需要先有材料随温度变化的折射率才可以计算不同温度下的结果，参见 Thermally tuned waveguide (FDE)

 

[ge86gat]

谢谢老师！我刚刚接触光芯片的内容，对基础知识并不了解。

[ge86gat]

老师您好，

我正在做一个关于MRR谐振波长随温度变化的实验，目前遇到了一些问题，想请教一下：

1. 将材料改为Thermally tuned waveguide (FDE) 中的silicon_thermal后，在298.1K时，使用FDE测得的有效折射率和群折射率，是否可以作为参数输入到INTERCONNECT的double bus ring resonator模型中? 下面是使用FDE时的XY和YZ平面截图。

 

                                 

 

2. 在INTERCONNECT中，我设置了double bus ring resonator的温度参数，并将其与ONA连接。在改变模拟温度后，增益曲线的峰值（gain peak）确实发生了偏移。请问这种方法是否可以用来分析温度对MRR谐振波长的影响？

                     

期待您的解答！

谢谢！