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[naiyu zhang]

工程师您好：

我有以下几个问题想向您请教，感谢您利用宝贵时间为我解答！

1.在varFDTD中建立半导体激光器模型时，外延结构建模方向分别采用了沿y方向及z方向，计算透射率计算高阶表面光栅的反射率与透射率，将frequency-domain field and power监视器置于光源后方计算反射率，将此监视器置于结构末端计算透射率。设置方法如下图所示，

目前存在以下几个问题：

1.相同结构的反射率数值差别很大，请问哪个方向建模正确？

2.光源均设置为基模，在上述监视器中查看E分布时，两种建模方式中反射率的E分布有所不同，如图所示，请问为什么会出现这种情况，哪个方向的正确？

3.考虑到高阶表面光栅损耗较大，边界条件pml层数是否越大越好？

 

再次感谢您的解答！期待您的回复。

[fengyang]

可以先看一下varfdtd的案例，

https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042799713-Curved-waveguide-taper-varFDTD-and-FDTD我觉得你的模型并不适用varFDTD。

varFDTD只能仿真“两层”结构，

您的结构是有 3层的，（没有结构的位置3也算一层），如果第二层是平板结构，在横向左右延申穿传过仿真区是可以的。如果是目前这种尺寸则不行。

此外底层的边界应该不够低，不应该和结构重合。