Photonics – Chinese

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Si-AL2O3-ITO模型仿真问题

    • 睿泽 马
      Subscriber

      如下图所示,仿真模型从上往下分别为Au,Si,AL2O3,ITO,Au上加正电压,ITO底部加负电压

      在仿真过后发现,当Au处的电压为0V的时候,仿真可以正常运行出结果,但电压加到2V之后会显示仿真出现问题,具体信息如下图所示,请问一下这种情况产生的原因,是因为mesh设置的问题,还是说是因为仿真模型本身具有问题呢?

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      里面说结果发散,因此说明间隔2伏步长太大了,一般都是零点几伏或者零点零几伏。你下从0到2伏步长0.4伏测试看看,再发散就增加点数。然后再增加到8伏,用同样的步长。

      另外,你这个小器件能承受8伏电压吗?

      • 睿泽 马
        Subscriber

        老师您好,我将电压步长缩小到了0.2V并且按照文献中的结构修改了结构形状,它可以在3.8V之前继续运行,但是在程序运行到3.8V之后的时候出现报错,请问这个情况是因为结构本身或者材料参数的问题还是需要继续调小电压步长或者增加仿真次数?

    • 睿泽 马
      Subscriber

       

      之后我尝试了将电压步长进一步缩小,但是在3.9V的时候依旧没有收敛

      然后我在charge处将convergence criteria修改为any,仿真可以继续运行到5.8V,但是在5.8V的时候报错,并且选择quit and save之后无法查看已经运行的监视器结果

       

       

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      需要继续调小电压步长.

      会不会是接近Break了?你看看错误信息。你可以用之前不发散的结果作为新仿真的起始点Load进来再用小步长仿真。

      • 睿泽 马
        Subscriber

        我尝试了将AL2O3的厚度变厚,确实可以进一步仿真更大的电压,但是仿真的结果不对,它并没有只在0-4V处随着距SI-AL2O3的距离而线性变化,这是由于我改变了AL2O3的厚度而产生的这种情况,还是说施加电压的方式不对或者是仿真的其他错误?

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      有很多参数你仿真的与文献用的不一定一样,如很多材料特性参数。参见  

      Ansys Insight: 我的仿真结果为什么与文献或实验结果不一致?

      根据这个图你知道超过一定电压几乎击穿,所以太高电压就会发散了。

      你需要耐心,逐步调整参数看看。

       

    • Wo Bowi
      Subscriber
      同学 你好 我最近也在做有关闸极调谐的ITO在ε近零特性的文献研究,方便一起交流讨论吗?
      • 睿泽 马
        Subscriber
        没问题,欢迎交流讨论
      • 睿泽 马
        Subscriber
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