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[994724614]

在微环热调谐实验中，由于fdtd所占用资源太大，所以我采取了模拟折射率变化的方法，进行试验。我通过FDE求解出不同温度下的折射率之差后在mode里创建了一组新的材料，使用新材料在mode中进行仿真，得到的波长偏移结果出现了问题，如下图

按照偏移原理，电压越大谐振中心应该越向右偏移，但此时最右侧的谐振中心却不是最大电压，请问这是为什么

[Kirill]

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[GuanYo Dong]

你好,

對於使用FDTD硬體太吃力的環形結構,不知道你說用mode仿真是說VarFDTD嗎?

這邊建議用VarFDTD或是interconnect進行仿真
Ring Modulator – Ansys Optics 這個案例有完整的流程使用interconnect,只是案例是電調製器,但是材料參數調製而改變是可以借用的
Ring resonator getting started - Parameter extraction and Monte Carlo – Ansys Optics 這個則是說明VarFDTD可能引起的誤差,另外VarFDTD會有一些模型限制

另外我理解諧振中心跟折射率有關,但我不知道您的材料是不是這樣的趨勢?建議先拉出來看一下

莎益博 董冠佑

 

[994724614]

由于3DFDTD所需内存过大，所以改用varFDTD进行计算，所创建的材料折射率随电压增大而增大，如下图所示