ohmic接触下单纳米线器件的I-V特性曲线非线性

- July 22, 2024 at 7:51 am
  
  outer rong
  Subscriber
  
  老师您好，我在仿真硅纳米线光电导器件的I-V特性，两端Al电极，中间是Si纳米线，开启了强制ohmic接触，然后做了电压扫描（-1V-1V），发现I-V曲线并不是线性的，这个如何解释呢？此外，在仿真中还存在一个问题，在给定电压（1V）下，扫描n型掺杂浓度（1e15-1e18 cm-3），发现光电流在浅掺杂浓度（5e15 cm-3）下存在一个拐点，超过这个浓度，光电流下降。（光电流计算=光态电流-暗电流）
- July 22, 2024 at 7:51 am
  
  outer rong
  Subscriber
  
  掺杂浓度为n型1e15 cm-3
- July 23, 2024 at 5:54 pm
  
  Guilin Sun
  Ansys Employee
  
  I-V曲线不一定就是线性的啊？你看看教科书，至少还有饱和呢。线性区域一般只有一个范围，通常把工作范围设置为此，以得到线性输出结果。
  至于拐点的问题（包括非线性），可能涉及两个材料的特性。你将电极换几种材料测试看看，或者不考虑半导体内复合效应，甚至可能是硅线宽度厚度有限效应（比如你用2D仿真将硅设置为无限宽厚）。具体物理原因需要测试。