Learning Forum

[outer rong]

老师您好，我在做光电导器件仿真时，想要探究不同类型（N、P）的掺杂浓度对器件光电流的影响，仿真中硅纳米线宽214nm，厚100nm，两端Al电极，强制欧姆接触，在扫描n型掺杂浓度下（1e14-1e17 cm-3）光电流出现先增后降，拐点出现在低掺杂浓度下，在p型掺杂下，光电流出现先降后增，我分别验证了不同器件长度下2D、3D仿真结果，现象是一致的，这个现象和实际出入比较大，不知道应该怎么解释呢？

 

 

[Guilin Sun]

Somehow twice my reply was not shown successfully.

你可以看I-V曲线，电压太低或者太高都不能是线性响应。

你可以将结构变成无限宽无限厚看看理想情况是怎么样的。