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[guohongjie]

老师我想仿真的是LNOI薄膜调制器，参考例程Ferroelectric modulator – Lumerical Support 我将例程中BTO材料换成了铌酸锂，然后MODE仿真时，结果如下面所示

[Guilin Sun]

不知道你用的铌酸锂折射率是各向同性还是各向异性的？参数对吗？一般应该同各向异性吧？另外因为其折射率变化小，器件尺寸可能大一点吧。 另外第一个图有点奇怪：一般模式折射率随电压变化应该是单调的，不会上下波动，至少不会变化这样大。如果折射率变化不理想，透射率变化不可能理想。

[guohongjie]

老师我用的是各项异性的，我设置铌酸锂材料的逻辑是这样 首先根据铌酸锂的色散关系得到ne和no，并且将值传给slab部分和rib部分

slab 根据不同切向，设置不同的epslion矩阵，案例中的BTO在于晶体的切向为011，所以需要旋转电场方向，铌酸锂切向只有XYZ三种，所以这里我没有应用旋转矩阵。

我把参数换成铌酸锂材料后进行了计算，这里有个问题，我没有找到相关的文献。我查到BTO和铌酸锂的电光系数张量矩阵都是6*3，案例这里将计算变形为3*3矩阵，于是我就仿照数据规律，生成了我上面的代码（这个步骤我没有找到文献证明）

slab和rib部分都是利用的同一个CHARGE文件分析的，不同区别在于宽度和高度不同

目前设置的薄膜厚度是0.1μm，脊型高度和宽度都是0.5μm

[Guilin Sun]

因为变化较多，很难直接找出原因。我建议你用简单的脊型波导，先各向同性，再各向异性，然后再加Buffer那一层。另外，查看物理模型是否得当，软件只能处理3乘3张量。查找问题需要用排除法，因此简单模型最好。

[guohongjie]

老师，我有参考别的案例，将模型简化为了各项 同性，折射率改变量参考公式计算

在仿真简单的脊型结构时出现了理想的结果，图一是偏置电压和有效折射率的关系，图二是求Vpi的曲线，

但是在我增加薄膜层后，折射率不在是线性变化，此时的有效折射率变大，脊型的宽度和高度均为0.5μm，薄膜厚度为0.1μm

我在找原因的过程中，发现除了CHARGE和MODE中设置网格的精度，在代码中的插值点数量也对结果有影响，但是没有总结到其中变化的规律，希望老师能给一些优化方面的建议 下图是我对代码的分析，可能会有错误，

老师在代码中我有一个疑问，

老师，在仿真中会有很多的数据结构体，有些是多维度的，我想知道在官网中有文档对这些数据结构有详细说明的吗，目前我了解到的只有在脚本介绍的案例部分会对与脚本相关的数据体结构有说明，

[Guilin Sun]

线性变化仅在很小扰动情况下。不过，这个有效折射率变化

很可能是模式变了，你可以单独测这一点的，看看问题出在什么地方。

１２３是对应三个分量。

遗憾的是，官网中没有文档对这些数据结构有详细说明。你可以用问号查看一个矩阵的维数，看看对应哪些量：　Ansys Insight: 几个简单实用的脚本Script命令：用于结果分析