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[DwLixixi]

[Guilin Sun]

问题是解决了吗？DC我估计是指电压？只要你有非线性系数与电压的关系，应该可以仿真。

[DwLixixi]

孙老师，您好

1、上次我想问的是charge中DC UPDATE MODE的选择：

当我分别用 self consistent 和 electrostaic进行模拟时，得出的结果区别比较大，我想知道如何选择这俩选项来模拟器件的I-V结果。

2、我的器件尺寸是30X30X1um时，我的整个mesh设置最大边0.05、最小边0.0001，进行mesh了5个小时，5%的进程最后还是报错了。我想知道是我的mesh设的过细吗？

3、mesh设置：在整体仿真区域我的最小边大小能不能大于我局部的mesh最大边的设置

希望老师能够解答，谢谢！

[Guilin Sun]

你看看网站上的介绍：
DC UPDATE MODE:

self-consistent (default) solves the system of equations for the electrostatic potential (Poisson equation), charge density (drift-diffusion), and heat transport.

The electrostatic option will only solve Poisson’s equation, using the carrier density as a fixed input;

the charge option will only solve the drift-diffusion equations, using the electrostatic potential as a fixed input. Both the electrostatic option and the charge option require an existing solution that provides the fixed input (see continuation).

因此，结果不同很正常。不知道的情况下就用缺省的  self consistent。

最大边0.05、最小边0.0001，这些太小了，占用很多内存，用2，0.01微米试一下，需要特别细的地方用Mesh设置一下。

Mesh是局部的，主要用来限制局部地区的最长边长：

 

它比背景网格有优先权。

[DwLixixi]

1、按照老师你所说的，将Global Mesh设置为2，0.01；对于器件内部是2nmX2nmX0.6um的结构，那我对于这个区域的mesh设置最大边长为0.001是否复合我需仿真的精度，还是我的最大边长设置过小。

2、我想模拟出器件在内部设置一个结构，该结构有利于提升器件的电流值是否有方法设置这个结构？我最近一直是用导体来模拟这个内部结构，但是这个导体结构存在一些问题。无论该导体结构的长短怎么改变其导致的器件电流波动不是很大。能否给出建议，比如我想在内部设置个重掺杂来模拟这个结构，但这个结构受中掺杂区域大小影响整个器件电流比较。

还请孙老师能够解答，谢谢！

[Guilin Sun]

先不要考虑精度问题，先解决发散问题。

发散问题解决了，再考虑精度。实际上，有限元算法是自适应网格，其最细的网格可能会比所设定的还要细，只要再迭代次数之内。如果网格变化对结果影响很小，不一定非要用很细的网格。

只有半导体材料才可能产生所需要的电流，同时也有损耗，如各种复合。你可能需要分析这个结构从原理上如何提高电流，现在的设置和结构是不是满足这个物理过程？要知道重掺杂并不一定会很好啊，实践上是否行得通？损耗如何？我们一般对具体设计很少提供建议，因为在这方面应该是不如你们一线研究者更清楚里面的机理。