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Photonics – Chinese

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有关官网的行波调制的马赫曾德调制器实例的问题

    • vicastle
      Subscriber

      Traveling Wave Mach-Zehnder Modulator – Ansys Optics

      请问在这个示例里,为什么tw_modulator_RF_MODE.lms文件里的模型与tw_modulator_optical_MODE.lms和tw_modulator_DEVICE.ldev里的模型如此不同?

      有具体几个问题:

      1、为什么RF文件里的铝电极厚度(2.85um)和间隔(8um)与device文件里的不一样(0.5um、7.6um),为什么顶部还有一条这么长的铝平板?

      2、为什么RF文件中的波导没有画出,而只有p、n、junction这三个二维结构,而本应是波导材料的硅却成为了基底的材料?

      3、背景的折射率1.9是从哪里得到的?

      4、在FDE的运行结果中,没有像光学部分显示模式的分布情况(无论是折射率图还是能量图都是一片蓝色),如何知道计算出的RF模式是想要的模式?

       

      谢谢!

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      不同Solver求解用的模型有差别也很正常,一般简化是为了加快仿真速度。

      A1A2:因为两个文件仿真的频率差别很大,那么起作用的结构也很不同。很小的结构对RF模式几何没有什么作用,因此可以忽略;而对光波长,其模式主要集中在高折射率波导芯,其它大结构对其也没有什么影响,当然可能有少许损耗而已。

      A3:折射率是波长的函数,需要自己找。

      A3:这个就需要有经验知识,对模式形状为位置有期待,

      • vicastle
        Subscriber

        感谢您的解答!我大致明白了,但还有几个问题:

        1、您的意思是,在charge内计算的时候,电极的高度和电极上方的传输线不重要对吗?所以其几何结构除了接触面积确定以外是随意选取的?

        2、在RF文件中许多材料选择的都是conductive 2D,是不是在研究微波(长波长)的时候都应该使用这种材料,而不是使用nk材料?

        3、我注意到另一个类似的例子中(url: Optimizing Traveling Wave MZM - optiSLang Interoperability – Ansys Optics),这一步用的是HFSS而非MODE,这两个软件在这个例子中有什么异同?

        4、我想将这套流程应用到不掺杂的铌酸锂上。我想在材料里设置成绝缘体,不添加任何掺杂,计算出电阻和电容,并用一块具有R、C性质的平板代替p、n、junction这三块平板,这么做可行吗?

        谢谢!

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      A1:CHARGE仿真对电极位置有要求,但是其材料因为是完美金属,形状影响很小(不用来优化),因为可能的影响只是半导体复合损耗。

      A2: 微波段最常用电导率表示。

      A3:HFSS是公司Sister仿真软件,功能强大,例子只是演示如何联合使用。

      A4:CHARGE仅仿真半导体材料,金属和绝缘体都是按理想定义给出,不参与仿真,因此,没有掺杂可能无法仿真。

       

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