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TFSF仿真全内反现象

- August 2, 2023 at 9:35 am
  
  xpy2024
  Subscriber
  
  TFSF光源仿真二氧化硅材料的全内反现象时，在散射场区域使用探测器探测到的电场远场出现一端电场较大，这个是仿真时间设置的不对导致电场计算错误吗？主要想结合2D的microscopy_imaging.lsf脚本计算全内反射成像，但这个成像结果好像不对？
- August 2, 2023 at 9:39 am
  
  xpy2024
  Subscriber
  
  老师，第一幅图是全内反射无缺陷的1m远场,第二幅图是加了个缺陷的成像脚本的成像结果
- August 2, 2023 at 10:35 pm
  
  Guilin Sun
  Ansys Employee
  
  没有缺陷的情况差别很小已经在-18次方量级了。
  有缺陷情况下，说明直射的光多，如果-6微米那里对应直射。
  仅凭结果无法进一步评价。
- August 3, 2023 at 2:00 am
  
  xpy2024
  Subscriber
  
  老师，这里补充一下，这个是单波长的TFSF光源的全内反射模型，斜入射照明缺陷，上方是散射区的探测器，结合microscopy_imaging_2D脚本做驻波对缺陷散射增强的成像分析
- August 3, 2023 at 2:12 am
  
  xpy2024
  Subscriber
  
  然后microscopy_imaging_2D脚本做的成像远场出现了左端的极高值
- August 3, 2023 at 2:19 am
  
  xpy2024
  Subscriber
  
  这个是无缺陷和有缺陷时的一个驻波截面分布情况
- August 3, 2023 at 3:24 pm
  
  Guilin Sun
  Ansys Employee
  
  显然有缺陷情况下光发生了偏转啊。注意，近场只是给出大概，经过成像就是远场，你可以用远场透射看看远场最大值发生在什么角度，再回推一下成像位置。
  这种物理现象需要自己思考得出结论，论坛只是讨论仿真设置和使用问题。
- August 4, 2023 at 7:45 am
  
  xpy2024
  Subscriber
  
  好的，谢谢老师，根据折射定律对计算出来了这个角度和远场给的角度是同一个

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