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[xpy2024]

TFSF光源仿真二氧化硅材料的全内反现象时，在散射场区域使用探测器探测到的电场远场出现一端电场较大，这个是仿真时间设置的不对导致电场计算错误吗？主要想结合2D的microscopy_imaging.lsf脚本计算全内反射成像，但这个成像结果好像不对？

[xpy2024]

老师，第一幅图是全内反射无缺陷的1m远场,第二幅图是加了个缺陷的成像脚本的成像结果

[Guilin Sun]

没有缺陷的情况差别很小已经在-18次方量级了。

有缺陷情况下，说明直射的光多，如果-6微米那里对应直射。

仅凭结果无法进一步评价。

[xpy2024]

老师，这里补充一下，这个是单波长的TFSF光源的全内反射模型，斜入射照明缺陷，上方是散射区的探测器，结合microscopy_imaging_2D脚本做驻波对缺陷散射增强的成像分析

[xpy2024]

然后microscopy_imaging_2D脚本做的成像远场出现了左端的极高值

[xpy2024]

这个是无缺陷和有缺陷时的一个驻波截面分布情况

[Guilin Sun]

显然有缺陷情况下光发生了偏转啊。注意，近场只是给出大概，经过成像就是远场，你可以用远场透射看看远场最大值发生在什么角度，再回推一下成像位置。

这种物理现象需要自己思考得出结论，论坛只是讨论仿真设置和使用问题。

 

[xpy2024]

好的，谢谢老师，根据折射定律对计算出来了这个角度和远场给的角度是同一个