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Photonics – Chinese

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TFSF仿真全内反现象

    • xpy2024
      Subscriber

      TFSF光源仿真二氧化硅材料的全内反现象时,在散射场区域使用探测器探测到的电场远场出现一端电场较大,这个是仿真时间设置的不对导致电场计算错误吗?主要想结合2D的microscopy_imaging.lsf脚本计算全内反射成像,但这个成像结果好像不对?

    • xpy2024
      Subscriber

      老师,第一幅图是全内反射无缺陷的1m远场,第二幅图是加了个缺陷的成像脚本的成像结果

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      没有缺陷的情况差别很小已经在-18次方量级了。

      有缺陷情况下,说明直射的光多,如果-6微米那里对应直射。

      仅凭结果无法进一步评价。

    • xpy2024
      Subscriber

      老师,这里补充一下,这个是单波长的TFSF光源的全内反射模型,斜入射照明缺陷,上方是散射区的探测器,结合microscopy_imaging_2D脚本做驻波对缺陷散射增强的成像分析

    • xpy2024
      Subscriber

      然后microscopy_imaging_2D脚本做的成像远场出现了左端的极高值

    • xpy2024
      Subscriber

      这个是无缺陷和有缺陷时的一个驻波截面分布情况

    • Guilin Sun
      Ansys Employee

      显然有缺陷情况下光发生了偏转啊。注意,近场只是给出大概,经过成像就是远场,你可以用远场透射看看远场最大值发生在什么角度,再回推一下成像位置。

      这种物理现象需要自己思考得出结论,论坛只是讨论仿真设置和使用问题。

       

    • xpy2024
      Subscriber

      好的,谢谢老师,根据折射定律对计算出来了这个角度和远场给的角度是同一个

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