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Photonics – Chinese

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关于charge中加双电压的问题

    • 睿泽 马
      Subscriber

      如图所示的结构,我有两个问题想要请教一下,第一是当我对这个模型进行仿真时,我在上层Si,ITO,上层Si分别施加了0V的电压,其得到的电子浓度结果图如下

      图中横坐标为ITO离下半HFO2的距离,纵坐标为电子浓度,ITO为N型掺杂浓度为3E26

      第一个问题是,以ITO中心为中轴线,上半部分和下半部分完全一样的结构材料以及网格(下面的SIO2和AU我没有添加),那为何这里ITO的两侧浓度会不一样呢?这是由于mesh的设定,仿真本身的问题或者重力?还是说这个结构得出来的结果就应该是这样?

      第二个问题是,如果我想要上下分别施加不同的电压,我应该如何操作?

      谢谢老师

       

       

    • fengyang han
      Subscriber

      1建议延长z轴的正负方向的坐标看看

      2.可以通过加边界条件实现施加不同电压

      • ma ruize
        Subscriber

        1.我的ITOZ轴总宽度只有10nm,这种情况应该如何处理呢?

        2.我需要让上下分别从0V施加电压到8V,但是系统提示我只能对一个DC电压进行扫描,这种情况应该如何解决呢?

    • fengyang han
      Subscriber
      1.监视器够大就可以了,是改监视器的范围,看看
    • fengyang han
      Subscriber
      2.用嵌套的sweep扫描可以实现
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