关于charge中加双电压的问题

- November 4, 2023 at 1:39 pm
  
  睿泽马
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  如图所示的结构，我有两个问题想要请教一下，第一是当我对这个模型进行仿真时，我在上层Si,ITO,上层Si分别施加了0V的电压，其得到的电子浓度结果图如下
  图中横坐标为ITO离下半HFO2的距离，纵坐标为电子浓度，ITO为N型掺杂浓度为3E26
  第一个问题是，以ITO中心为中轴线，上半部分和下半部分完全一样的结构材料以及网格（下面的SIO2和AU我没有添加），那为何这里ITO的两侧浓度会不一样呢？这是由于mesh的设定，仿真本身的问题或者重力？还是说这个结构得出来的结果就应该是这样？
  第二个问题是，如果我想要上下分别施加不同的电压，我应该如何操作？
  谢谢老师
- November 7, 2023 at 1:18 am
  
  fengyang han
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  1建议延长z轴的正负方向的坐标看看
  2.可以通过加边界条件实现施加不同电压
  - November 7, 2023 at 2:23 am
    
    ma ruize
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    1.我的ITOZ轴总宽度只有10nm，这种情况应该如何处理呢？
    2.我需要让上下分别从0V施加电压到8V，但是系统提示我只能对一个DC电压进行扫描，这种情况应该如何解决呢？
- November 13, 2023 at 9:32 am
  
  fengyang han
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  1.监视器够大就可以了，是改监视器的范围，看看
- November 13, 2023 at 9:33 am
  
  fengyang han
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  2.用嵌套的sweep扫描可以实现