關於Charge模擬在高電壓下模擬問題

- March 13, 2024 at 10:03 am
  
  謝郁弘
  Subscriber
  
  可以請問一下就是在模擬10V時的平板電容，去看不同深度的電荷濃度，但是發現在接近表面時因電荷濃度劇烈變化但是測量點數太少造成曲線有劇烈轉折，請問一可以調整什麼，已經有試過調整mesh但是沒有作用，下面是圖片的連結https://drive.google.com/file/d/18O9Y4U_7K10fr1xFsAmUR4wzDUKi8Y7T/view?usp=sharing
- March 13, 2024 at 7:21 pm
  
  Guilin Sun
  Ansys Employee
  
  物理仿真软件，像CHARGE和FDTD，是将实际器件网格话仿真计算的，因此，仿真结果的光滑性不会比网格更好。当然，你可以用插值的方法interpolating 结果，参见
  2D interptri
  3D interptet
  不过插值方法可能会引入一定的误差，一般情况问题不大。
  你可以进一步降低网格尺寸，或者用细化网格constraint。
- March 14, 2024 at 9:50 am
  
  謝郁弘
  Subscriber
  
  這邊的話我已經有用細化網格調整到0.05nm但是還是會有很明顯的轉折點，這樣的話有解決方法嗎
- March 14, 2024 at 3:47 pm
  
  Guilin Sun
  Ansys Employee
  
  你设置的0.05nm网格，实际软件并不一定用上，因为有限元网格是根据所设置的粗网格逐步细分的，当掺杂/形状/静电场等可以产生的梯度在一定范围后，网格就不再细化了，也就是说你设置的细网格不一定真的用上。
  此外，可能不需要如此细的网格，你根据插值计算就可以了。如果就是想得到曲线部分结果，你可以减小监视器尺寸，仅记录部分地区，精细插值应该可以给出交光滑的结果。总之，这种离散计算一定不会特别光滑，达到一定程度即可。