感谢老师的解答,我把基底延申出PML边界后,确实收敛了;关于基底的厚度,如果SiO2是0.5um的厚度,那我的FDTD仿真区域z负方向设置为-0.5um和设置为-0.4um,是不是分别对应的基底厚度为0.5um和0.4um呢?只是在仿真区域里的才算做基底
另外,老师我发现石墨烯的参数也可能导致发散,如果石墨烯化学势能设置的大,仿真结果像是把石墨烯激发了,利用movie监视器可以观测到随着仿真运行金属纳米天线区域外电场值都非常大,老师我想请问这是不是也是导致发散的原因呢? 石墨烯被激发后这个器件是不是就属于增益性器件了呢?
感谢老师解答!