Reply To: EME和FDE仿真 taper端面耦合 问题

[雨妍 姚]

非常感谢您的回复，但是我仍旧有些问题，希望能得到您的解答

“可以将左侧Port的模式作为输入而不是计算出模式，因此可以不把高折射率材料包含在仿真区。”

请问您这句话的意思是说仿真区域设置在SiO2波导处，端面处的port模式（也就是输入port1）直接选择从硅光taper处输出的模式吗？

如果是这样的话，和直接用FDE对taper-SiO2波导端面的左右两边模式进行Overlap有什么区别呢？

我分别尝试了将仿真区域设置在SiO2波导处，端面处的port模式（也就是输入port1）选择从硅光taper处输出的模式，此时令taper长度变化，EME仿真得到的S21^2（Abs^2）也就是T，几乎不发生改变，只有taper端面的宽度或者高度变化才有改变，也就是上面我提到的第二个问题，和用FDE进行Overlap的情况一样，

我本意上是想先优化taper长度，提高端面耦合效率，采用这种方法无法响应taper长度变化，该怎么办呢？

另外，我还尝试了只仿真taper部分，可是即使设置了EME和port的正确模式，仿真出来的模场依然在硅衬底里传输

是不是无法只采用MODE简单的完成我需要的仿真????