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Ansys Learning Forum Forums Discuss Simulation Photonics EME和FDE仿真 taper端面耦合 问题 Reply To: EME和FDE仿真 taper端面耦合 问题

雨妍 姚
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非常感谢您的回复,但是我仍旧有些问题,希望能得到您的解答

“可以将左侧Port的模式作为输入而不是计算出模式,因此可以不把高折射率材料包含在仿真区。”

请问您这句话的意思是说仿真区域设置在SiO2波导处,端面处的port模式(也就是输入port1)直接选择从硅光taper处输出的模式吗?

如果是这样的话,和直接用FDE对taper-SiO2波导端面的左右两边模式进行Overlap有什么区别呢?

我分别尝试了将仿真区域设置在SiO2波导处,端面处的port模式(也就是输入port1)选择从硅光taper处输出的模式,此时令taper长度变化,EME仿真得到的S21^2(Abs^2)也就是T,几乎不发生改变,只有taper端面的宽度或者高度变化才有改变,也就是上面我提到的第二个问题,和用FDE进行Overlap的情况一样,

我本意上是想先优化taper长度,提高端面耦合效率,采用这种方法无法响应taper长度变化,该怎么办呢?

另外,我还尝试了只仿真taper部分,可是即使设置了EME和port的正确模式,仿真出来的模场依然在硅衬底里传输

是不是无法只采用MODE简单的完成我需要的仿真????

 

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