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[994724614]

不好意思老师，我的heat报错 (ansys.com)帖子不知为何回复失败，只好重新发一个帖子

我对结构进行了检查，所有结构都赋有材料，并且材料都添加了库中自带的热学和电学特性

结构的弯曲波导都与直波导紧密连接，并且高度相同

结构的边界条件与加热器设置是参考官方案例Thermal switch – Ansys Optics来进行仿照设计的，没有发现有何种问题。

再次进行仿真还是出现类似报错

实在找不到解决思路，麻烦老师帮忙看看错在哪里，谢谢老师

[Guilin Sun]

你给出的是所用的材料库，你要看看结构里面有没有赋材料。现在还没有到边界条件那一步。

另外，你改用直波导测试一下。

两个结构重叠一点。

 

[994724614]

我的结构里检查过的，都赋有材料，我用直波导测试没有问题。

另外我不太明白两个机构重合一点是什么意思，因为我正在学习的是平面波导，弯曲部分和直波导部分是等宽等高的

[Guilin Sun]

错误信息说明无法生成要划分网格的结构，不是材料就是结构设置问题。

如果材料正确，直波导没事，说明是弯曲产生问题了。

有时间弯曲量太小有可能出问题，因为要用很小很长的三角形网格。你试一下降低三角形质量，

不过，Tessellation 还没有到网格划分阶段，不知道是否有用。

参考 https://ansyshelp.ansys.com/account/secured?returnurl=/Views/Secured/corp/v232/en/ans_mod/Hlp_G_MOD5_10.html

虽然这个问题常见，但是多少都与结构/材料有关：

https://innovationspace.ansys.com/forum/forums/topic/tesselation-error-in-lumerical-charge/

这个是CHARGE常见问题 https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/8355464963987-Troubleshooting-convergence-errors-in-CHARGE 但并没有Tesselation。你只能先测试大弯曲的波导看看如何。

 

[994724614]

老师我的弯曲半径都是大于60um的，我觉得应该不算小半径，但是我把这个调整了一下，Tessellation阶段过去了，之后出现了下面这种报错

下面是报错过程

上图阶段过后好像直接跳过了Refining阶段，进入Finalizing，之后就报错了

[994724614]

并且在测试时发现了以下问题，不知道为什么，在对单微环进行测试时，在此仿真区域中可以正常仿真，但是把仿真区域分别单独向左右两边扩大，仿真出现报错。

 

[Guilin Sun]

60微米出错，说明就应该是弯曲造成的细长结构无法划分建成结构。你可能需要用更多的迭代次数，更低的网格质量等。

至于第二个问题，因为需要很小的网格而仿真区又很大，我估计需要太大内存，你从任务监视器查看软件运行时的内存使用情况。再有问题另外单独发帖。