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[1550354845]

老师，您好！

对于晶硅太阳能电池的掺杂，为了形成金属-半导体之间的欧姆接触，我们一般采用的掺杂结构是N+/P/P+这样，

[Guilin Sun]

官网例子只是演示能仿真此类器件，并不代表其设置就是实际器件的掺杂，毕竟需要实际设计经验。要仿真实际器件，应该按你器件的实际工作状态设置。

[1550354845]

谢谢老师您的回答，在此想要借楼向您再询问一个太阳能电池电学仿真的问题： 如您所见的太阳能电池的Si基底部分，有部分结构是需要进行N型重掺或者P型重掺，而重掺是会改变硅的功函数，而官网的太阳能电池案例使用的都是具有相同功函数的一整块Si，然后在这块硅上进行掺杂，这是为什么呐？还是说这也是为便于示范进行的简化，我们自己做仿真时要根据实际器件的掺杂 用不同功函数的Si进行仿真？ 打扰您，实在不好意思，期待您的回复！

[Guilin Sun]

这也是为便于示范进行的简化，自己做仿真时要根据实际器件的掺杂 用不同功函数的Si进行仿真.

要知道我们是软件公司，我个人认为很少有工程经验。这也是为什么我经常建议CHARGE的使用者应该先有CleanRoom经验再仿真，否则仿真结果很难与实际器件一致，因为很多参数随便设，只是为了得到某种“好”结果。