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[SuperheroEric]

在Charge中先做纯电仿真，不加光产生率时晶体管能正常工作，集电极电流比基极电流高两个数量级，并且两种电流的数量级和数值都基本正确，但是加了cw generation结果的光产生率之后，当基极电压比较小的时候（0-0.5V），即使很小的光照如1uw，基极电流变为负值，且光功率增大，基极电流负值的绝对值更大，甚至超过集电极电流；当基极电压为0.6-0.7V时，随着光功率增大，基极电流先是正的，之后变成负的，光功率进一步增大负值更大并且超过集电极电流。这样的结果明显不对，基极电流的方向应该于集电极电流方向一致，并且一般不能超过集电极电流。这种结果错误的原因可能是哪里设置的不对呢？这是我材料的设置，该考虑的模型都考虑到了，只注意到auger复合里有大注入的修正模型，关于材料设置还有什么建议吗？除了材料还可能有什么别的原因吗？

[Guilin Sun]

我估计光功率微瓦还是太高，器件现在是微米量级啊！如果没有光照仿真结果正常，加光照后没有什么理由不工作，最多也就是各种复合损耗而已。至于High Field修正，除非场太强，模型是否还有效需要考虑，否则应该不会对结果产生如此大的影响。这是我的一点想法，你琢磨一下，从纳瓦开始逐步增加看看。

[SuperheroEric]

孙老师我仿真了1nw Vb=0V的情况，Ic是1e-11量级，Ib是-1e-10量级，Ib依然是负的，而且绝对值比Ic要大。仿了100nw也是这种情况..

[Guilin Sun]

这个是不是暗电流级的？一般掺杂没有问题，电极（边界条件）没有问题，仿真不大可能胡出现违反物理原理的情况。最简单的测试方法是先根据网上的例子仿真，确保一切OK， 再用自己的器件设计。看看静电场分布与理想情况是否一致？