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[Mingwan Cho]

처음 charge solver를 사용해보고 있습니다. (기초 영상은 다 보았습니다.)

Q1) 제 구조가 주기적인 형태인 Si metasurface (p-i-n nanodisk 배열) 입니다. charge에서도 FDTD bc처럼 periodic 설정이 가능한가요?
Q2) FDTD에서 광원설정(plain wave)가 가능한데 charge에서는 어떻게 plain wave를 조사할 수 있을까요? (intrinsic Si에서 형성되는 electron-hole pair을 역전압 가해서 뽑아내려고 합니다.)

답장 주시면 감사하겠습니다!

[Jeongwoo Son]

Q1) 제 구조가 주기적인 형태인 Si metasurface (p-i-n nanodisk 배열) 입니다. charge에서도 FDTD bc처럼 periodic 설정이 가능한가요?

 

CHARGE solver는 FDTD와 BC 기능이 다릅니다.

질문자께서는 CHARGE의 simulation region에 관해서 문의 주신 것으로 이해됩니다.

 

CHARGE simulation region - General tab에서 시뮬레이션 영역을 설정할 수 있습니다.

- open : Boundary가 제일 바깥 쪽 구조물의 표면으로 정의 됩니다.

- closed : Boundary가 Geometry의 크기와 동일하게 정의 됩니다.

- Shell : Boundary가 PML로 정의 됩니다.

하기 링크 참조 바랍니다.

Simulation region for finite element solvers - Simulation object – Ansys Optics

 

Boundary conditions은 Electrical BC, Surface recombination, Surface Charge Density가 있으며 더 자세한 내용은 하기 링크 참조 바랍니다.

Boundary Conditions in CHARGE - Simulation Object – Ansys Optics

 

Q2) FDTD에서 광원설정(plain wave)가 가능한데 charge에서는 어떻게 plain wave를 조사할 수 있을까요? (intrinsic Si에서 형성되는 electron-hole pair을 역전압 가해서 뽑아내려고 합니다.)

 

CHARGE는 Poisson's equation과 drift-diffusion equations을 해석하는 solver입니다. CHARGE에서 빛을 직접 조사할 수는 없습니다.

광전 소자 해석 방법은 하기 링크 참조 바랍니다.

Planar silicon solar cell – Ansys Optics

CMOS image sensor - Angular response 3D – Ansys Optics

감사합니다.