Ansys Learning Forum › Forums › Discuss Simulation › Photonics – Chinese › 如何解决仿真(run simulate)所需内存过大的问题 › Reply To: 如何解决仿真(run simulate)所需内存过大的问题
July 23, 2021 at 4:22 pm
Guilin Sun
Ansys Employee
最薄的地方只要1.8纳米,你是用了细化网格了吧?
可能的解决方法有:
1: 如果都是膜层结构,除了薄,横向很宽相当于无限大,用stackrt 可以解析计算,完全解决内存问题 stackrt - Script command – Lumerical Support
2: 使用周期性边界条件,参见 /forum/index.php?p=/discussion/2061/symmetry-and-anti-symmetry-regions
3:这个1纳米的能否改为2DSheet材料。对于金属材料一定没有问题,但是电介质材料我没有测试过用2DSheet是否准确。
如此薄的结构,波长又相对很大,这是FDTD仿真的一个挑战,PML也需要很多层或者离开结构很远,因为这些膜层结构因为很薄需要的网格一般都很细,而PML需要一定的厚度,比如半个波长才能有效吸收,因此导致内存需要很多。
目前看来,如果第一种方法能工作是最好的。
可能的解决方法有:
1: 如果都是膜层结构,除了薄,横向很宽相当于无限大,用stackrt 可以解析计算,完全解决内存问题 stackrt - Script command – Lumerical Support
2: 使用周期性边界条件,参见 /forum/index.php?p=/discussion/2061/symmetry-and-anti-symmetry-regions
3:这个1纳米的能否改为2DSheet材料。对于金属材料一定没有问题,但是电介质材料我没有测试过用2DSheet是否准确。
如此薄的结构,波长又相对很大,这是FDTD仿真的一个挑战,PML也需要很多层或者离开结构很远,因为这些膜层结构因为很薄需要的网格一般都很细,而PML需要一定的厚度,比如半个波长才能有效吸收,因此导致内存需要很多。
目前看来,如果第一种方法能工作是最好的。